Сейчас 127 заметки.
Редактирование: Процесс изготовления полупроводниковых КМОП микросхем
Материал из ЗАметки
Внимание! Вы не авторизовались на сайте. Ваш IP-адрес будет публично видимым, если вы будете вносить любые правки. Если вы войдёте или создадите учётную запись, правки вместо этого будут связаны с вашим именем пользователя, а также у вас появятся другие преимущества.
Правка может быть отменена. Пожалуйста, просмотрите сравнение версий, чтобы убедиться, что это именно те изменения, которые вас интересуют, и нажмите «Записать страницу», чтобы ваша отмена правки была сохранена.
Текущая версия | Ваш текст | ||
Строка 3: | Строка 3: | ||
'''Окисление'''. | '''Окисление'''. | ||
Используется для создания маски под карман p-типа. | Используется для создания маски под карман p-типа. | ||
− | |||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 15: | Строка 13: | ||
'''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон в окисле под диффузию примеси p-типа. | '''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон в окисле под диффузию примеси p-типа. | ||
− | |||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 27: | Строка 23: | ||
'''Диффузия'''. Используется для внедрения бора во вскрытую область до концентрацией 1016 см-3. | '''Диффузия'''. Используется для внедрения бора во вскрытую область до концентрацией 1016 см-3. | ||
− | + | ||
− | |||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
* электропечь СДО-125/3; | * электропечь СДО-125/3; | ||
Строка 41: | Строка 35: | ||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 52: | Строка 45: | ||
'''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон под области стоков и истоков p-канальных транзисторов. | '''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон под области стоков и истоков p-канальных транзисторов. | ||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 64: | Строка 56: | ||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 75: | Строка 66: | ||
* кварцевый толкатель; | * кварцевый толкатель; | ||
'''Окисление'''. Используется для создания маски стоковых и истоковых областей n-канальных транзисторов. | '''Окисление'''. Используется для создания маски стоковых и истоковых областей n-канальных транзисторов. | ||
− | |||
− | |||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 88: | Строка 76: | ||
'''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон под области истоков и стоков n-канальных транзисторов. | '''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон под области истоков и стоков n-канальных транзисторов. | ||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 98: | Строка 85: | ||
* проявитель; | * проявитель; | ||
'''Диффузия'''. Используется для внедрения фосфора во вскрытые области до концентрации 1018 см-3. | '''Диффузия'''. Используется для внедрения фосфора во вскрытые области до концентрации 1018 см-3. | ||
− | |||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 111: | Строка 96: | ||
'''Окисление'''. Используется для создания маски под область затвора. | '''Окисление'''. Используется для создания маски под область затвора. | ||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 122: | Строка 106: | ||
'''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон под область затвора. | '''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон под область затвора. | ||
− | + | ||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 133: | Строка 117: | ||
'''Окисление'''. Используется для наращивания тонкого подзатворного оксида. | '''Окисление'''. Используется для наращивания тонкого подзатворного оксида. | ||
− | + | ||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 144: | Строка 128: | ||
'''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон под истоки и стоки. | '''Фотолитография'''. Используется для вскрытия окон под истоки и стоки. | ||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 155: | Строка 138: | ||
'''Напыление'''. Используется для напыления пленки алюминия. | '''Напыление'''. Используется для напыления пленки алюминия. | ||
− | |||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 163: | Строка 145: | ||
'''Фотолитография'''. Используется для создания рисунка разводки. | '''Фотолитография'''. Используется для создания рисунка разводки. | ||
− | + | ||
Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | Оборудование, инструмент, оснастка, материалы: | ||
Строка 180: | Строка 162: | ||
* Упаковка. | * Упаковка. | ||
− | + | ||
− | Просмотреть видео: [http://wikiency.org/swf/kmop.swf Принцип | + | Просмотреть видео: [http://wikiency.org/swf/kmop.swf Принцип изготовления изготовления полупроводниковых КМОП микросхем]. |