Этапы создания транзистора

1 Этапы создания транзистора 1.1 Выращивание маскирующего оксида, необходимого для последующей фотолитографии. Осаждение оксида кремния проводится из ПГФ. ( Нижняя часть серого цвета, оксид – синий/голубой) 1.2 Проведение фотолитографии по оксиду кремния с целью создания в дальнейшем во вскрытых окнах элементов МОП – транзистора. (цвета – те же)

1.3 Выращивание подзатворного оксида кремния, являющегося подзатворным диэлектриком в данной технологии изготовления МОП – транзистора. (цвета – те же)

1.4 Наращивание поликристаллического кремния, играющего роль затвора и маскирующего слоя одновременно. Наращивание проводится из ПГФ.( эффект выращивания такой же, только слой внешне отличаться должен.)

1.5 Проведение фотолитографии с целью создания окон в поликристаллическом кремнии и оксиде кремния для создания n+ областей транзистора (стока и истока).

1.6 Проведение диффузии областей стока и истока. Одновременно с этим происходит легирование затвора из поликристаллического кремния с целью уменьшения его сопротивления. На этом этапе ПКК играет роль маски для диффузанта (мышьяка). (Карманы с надписью n+ плавно выезжают вниз, сама надпись n+ не нужна.)

1.7 Осаждение оксидной плёнки, выполняющей роль изолирующего слоя. ( Просто вырастает слой)

1.8 Проведение фотолитографии и формирование металлизации транзистора. 2 Принцип работы транзистора Для показа работы использовать этот рисунок: И ещё небольшое замечание по принципу работы ( текст на картинке) Остальное в самом принципе работы остаётся. Главное в том, чтобы транзисторы в этапе создания и принципе работы были одинаковыми. И последнее – на отдельной странице.